Головна » » Про кафедру » Співробітники кафедри » Мартинюк Яків Васильович » Про викладача
Співробітники кафедри

Мартинюк Яків Васильович


доцент, провідний науковий співробітник, кандидат технічних наук, заступник завідувача кафедрою по НДР

Про викладача

Викладає такі дисципліни

«Основи конструювання комп’ютерів»

Наукова діяльність:

     Теорія та технологія проектування і виготовлення сегнетоелектричної пам’яті ЕОМ та пристроїв ультразвукової медичної і технічної діагностики.

     Розробка конструкцій, технологій і виготовлення керамічної плати та помножника електронів зразків багатоканального цифрового детектора для лазерного масспектрометра”. Роки виконання 2001-2003. Замовник – Інститут прикладної фізики НАНУ, м. Суми. Було створено два типи цифрових детекторів з величиною апертури 10 і 50 мм та числом цифрових детекторів 400 і 2000 одиниць. Розробку впроваджено в експериментальне виробництво заводу електронних мікроскопів, м. Суми. Досягнено роздільну здатність у цифровому лазерному масспектрометрі реального часу не менше 3000 ліній на апертурі 250 мм та чутливість 10-4-10-8 по масовому складу речовини, що дозволяє в реальному часі виявляти всі елементи таблиці Менделєєва і не менш як 10 ізотопів кожного елементу. Досягнуті результати на сьогодні є кращими в світі. Науковий керівник Мартинюк Я.В., відповід. виконавець Верба О.А.

Публікації

Додаток 5. Роботи за попередні роки, не менше 5, результати котрих передбачається використати в запропонованому проекті «Розробка засобів проектування та технології виготовлення енергонезалежних сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв підвищеної швидкодії комп’ютерних систем критичного застосування» на надтонкій сегнетоеелектричній плівці з поліпшеними властивостями, на частину з яких є посилання в матеріалах запиту

1*. Мартынюк Я. В. Разработка и исследование специализированных устройств вычислительной техники на основе широкополосных сегнетоэлектрических пьезоэлектрических трансформаторов. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. Науч. рук. доцент, к.т.н. К.Г. Самофалов. К.: – 1972, с. – 160.

2*. Самофалов К. К. Структуры специализированных средств вычислительной техники, ориентированных на интегральное исполнение. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наукк. К.: – 1972, с. – 375.

3*. Божко А.А., Мартинюк Я.В., Шпак Ю.И. Исследование переходных характеристик сегнетоэлектрических запоминающих элементов. – Научно-технический сборник: Электроника и моделирование, вып. 12. К., «Наукова думка», 1976, с. 11-13. Завантажити файл

4*. Божко А.А., Мартинюк Я.В., Шпак Ю.И. О считывании информации в биморфных сегнетоэлектрических запоминающих элементах за счет толщинных деформаций. – Научно-технический сборник : Электроника и моделирование, вып. 15. К., «Наукова думка», 1977, с. 69-71. Завантажити файл

5*. Павлишын Н. М. Методы и средства контроля сегнетоэлектрических запоминающих элементов. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. Науч. рук. проф., д.т.н. К.Г.Самофалов. К.: – 1982, с. – 145.

6*. Божко А.А., Мартынюк Я.В., Шпак Ю.И. Пьезоэлектрические элементы памяти. - Сб. статей под. ред. К.Г. Самофалова, Диэлектрическая элементная база и ее применение. – К.: «Техніка», 1984 – с. 90-96. Завантажити файл

7*. Верба А.А., Кит В.И., Мартынюк Я.В., Харламов А.Д. Средства записи информации диэлектрических запоминающих устройств.- Сб. ст. под ред. К.Г. Самофалова, Диэлектрическая элементная база и ее применение. –К.: «Техніка», 1984 – с. 97-116.

8*. Мартнюк Я.В.,Харламов А.Д., Кудренко Е.И., Божко АА.,. Верба А.А., О считывании информации в сегнетоэлектрических запоминающих устройствах. - Сб. статей под. ред. К.Г. Самофалова, Диэлектрическая элементная база и ее применение.–К:«Техніка», 1984–с.115– 126. Завантажити файл

9*. Христов Стефан Милчев (НРБ) Специализированные сегнетоэлектрические запоминающие устройства для систем автоматики и информационно-измерительной техники с распределенной памятью. Дис. на соискание уч. ст. к.т.н. Науч. рук. проф., д.т.н. К.Г.Самофалов. К.: – 1984, с. – 139.

10*. ВербаА.А. Средства записи информации полупостоянных запоминающих устройств. Дис. на соискание уч. ст. к.т.н. Науч. рук. проф., д.т.н. К.Г.Самофалов. К.: – 1985, с. – 165.

11*. Божко А.А., Згурский А.В. Мартинюк Я.В., Схемные модели пьезотрансформаторных сегнетоэлектрических запоминающих элементов.//Электроника и моделирование, 1988-10, №1, с.45-50.

12*. Сидоренко В.П., Мартынюк Я.В., Стиканов В.Ю., Верба О.А..Концептуальные вопросы использования сегнетоэлектрических элементов памяти в ЭС ППЗУ. Материалы 3-ей отраслевой науч.– техн. конференции МЭП. Опыт разработки, производства и применения БИС РПЗУ, ПЗУ и ПЛИС, м. Киев, 10-12 октября 1990 г. с. 7-9.

13*. Саджих Ахмед. (Сирия). Средства исследования процессов в сегнетоэлектрических запоминающих устройствах. Диссертация. на соискание ученой степени. к.т.н. Науч. рук. пр.н.с., к.т.н. Я.В. Мртынюк. К.: – 1993, с. – 145.

14*. Мартынюк Я.В., Мартинюк О.Я. Анализ процессов в структурах на биморфных пъзоэлектрических преобразователях при импульсном возбуждении. Электроника и связь, 2000, №9, с. 118-122.

15*. Andriy Romanyuk, Roland Steiner, >Viktor Melnik< and Verena Thommen Ultrasound-assisted oxidation of tungsten in oxygen plasma: the early stages of the oxide film growth // Surface and Interface Analysis 2006; 38: 1242–1246. Published online 19 June 2006 in Wiley InterScience. Завантажити файл

16*. Romanyuk A.,,Oelhafen P., Kurps R., >Melnik V.< Use of ultrasound for metal cluster engineering in ion implanted silicon oxide. 2007 Applied Physics Letters. 90(1):013118 - 013118-3 • January 2007. Наук.мет.база даних Scopus Індекс SNIP 3,52. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/90/1/10.1063/1.2430055

17*. Gudymenko O.I., ,Kladko V.P., >Melnik,V.P.< and ot. Peculiarities of the defect formation in the near-surface layers of Si single crystals under acoustostimulated implantation of ions of boron and arsenic . 2008. Ukrainian Journal of Physics. 3 Ukr. J. Phys. 2008, Vol. 53, N 2, p 140-145. Імпакт фактор 0,18. http://ujp.bitp.kiev.ua/?item=j&id=102

18**. Кадышев Ш. И., Самофалов К.Г., >Мартынюк Я. В.<и др., Запоминающее устройство, А. с. СССР № 608197, 1978, Б. и. №19. Завантажити файл

19**. Dietmar Krueger; Rainer Kurps, of Frankfurt an der Oder (DE); Boris Romanjuk, Kiev (UA); >Viktor Melnik<, Kiev (UA); Jaroslav Olich, Kiev (UA) Method of fabricating ion implanted doping layers in semiconductor materials and integrated circuits made therefrom. Patent US 6358823 B1, Дата публікації 09.04.2002 Завантажити файл.

20*. Мачулін В.Ф., Романюк Б.М., Кладько В.П., Оліх Я.М., >Мельник В.П.<, Оліх Я.М., Попов В.Г., Юхимчук В.М., Гудименко О.Й., >Мартинюк Я.В.< Акусто-стимульована релаксація механічних напружень в структурах SixGe1-x/Si при імплантації іонів He. Тез. доп. міжн. наук.- техн. конф. “Сенсорна електроніка і мікросис-темні техно-логії”/ м. Одеса, 1-5 червня 2004 р., с. 161.Завантажити файл

21*. >O. Martinyuk,<, D.Mazunov, >V.Melnik<, Ya. Olih, V. Popov, B, Romanyuk and I. Lisovskii. SiO2 and Si3N4 phase formation by ion implantation with in-situ ultrasound treatment. Science and Technology of Semiconductor - On - insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment, 97-102. O 2005 Kluwer Academic Publishers, Printed in the Netherlands.Завантажити файл

22*. >V.P. Melnik<, Y.M. Olikh, V.G. Popov, B.M. Romanyuk, Y.V. Goltvyanskii, A.A.. Evtukh. Characteristics silicon p-n junction formed by ion implantation with in-situ ultrasound treatment. Materials Science and Engineering B 124-125 (2005) 327-330. Завантажити файл

23*. Божко А.А., >Мартинюк Я.В.<. Анализ моделей переключения поляризован-ности сегнетоэлектрическихЗЭ.Між.наук.-техн.жур.«Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології», №13, 2007 р., с.110-114.

24*. >Г.И. Клето<, >Я.В. Мартынюк<, А.И. Савчук, В.Н. Стребежев, Ю.К. Обедзинский Наноразмерные сегнетоэлектрические пленки для интегральных запоминающих элементов // НАНОСИСТЕМЫ, НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГІЇ (зб. наук. праць). – 2009. – Том.7. – вип.1. - с.65 – 71. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76339

25*. Верба О.А., >Корабльов Г.Ф.<, Кругленко М.П., >Мартинюк Я.В.< Фізико-хімічні аспекти формування топології мікроелектронних структур на п’єзокерамічних та сегнетоелектричних плівках. Н.т.к. «Фізико-хімічні основи формування і модифікації мікро-та наноструктур»/ Зб. наук. праць.–Харків: НФТЦ МОН та НАН України,2009, с.27-32.

26*. Божко А., Гуржій А., >Мартинюк Я..< . Аналіз багатошарових структур п’єзоелектрик-напівпровідник Матеріали ІV Міжнародної наук.-техн. конференції. «Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2009)». Частина 1. Вінниця, Україна, 8-10 жовтня 2009, с. 74-75. Завантажити файл

27*. Божко А.П., >Мартинюк О.<, >Мартинюк .Я.<. Ефективність теплової і ультразвукової обробок іонно-імплантованих напівпровідників. Матеріали ІV Міжнародної наук.-техн. конференції «Сучасні проблеми радіоелект-роніки, телекомунікацій та приладобудування(СПРТП-2009)». Частина 1. Вінниця, Україна, 8-10 жовтня 2009 р., с. 76. Завантажити файл

28*. Самофалов К.Г., >Мартинюк Я.В.<, Скороход І.О., Божко А.П., Верба О.А., >Клето Г.І.< Сегнетоелектричний енергонезалежний запам’ято-вуючий пристрій з неруйнівним зчитуванням. Патент України на корисну модель №18752, опубл. 15.11.2006 р., бюл. №11. Завантажити файл

29*. Самофалов К.Г., >Мартинюк Я.В.<, Верба О.А. Сегнетоелектричний запам’ятовуючий пристрій. Патент України на корисну модель № 37367, опубл. 25.11.2008, бюл. № 22. Завантажити файл

30*. >Мартинюк Я.В.<, Верба О.А. Божко А.П. >Мартинюк O..Я.<, >Kорабльов Г.Ф.< Ультразвуковий п’єзоелектричний перетворювач. Патент України на корисну модель № 39152, опубл. 10.02.2009 р., бюл. №3. http://uapatents.com/ patents/Мартинюк 39152

Таблиця 4, [1] . Божко А. П., >Геращенко Д. В.<, >Мартинюк Я. В.<, > Стіренко С. Г.<, Перспективи широкого застосування сегнетоелектричної пам’яті стають реальныстю. Тези доп. Мат. V Між. наук.-техн. конф. "Сучаснi проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування" (СПРТП-2011), Вінниця, ВНТУ, Україна, 19-21 травня 2011 р., с. 34. Завантажити файл

Прим.: позначками *, **, *** - відмічено дисертації, статті, авторські свідоцтва та патенти за попередні не менш 5 років, що відображають напрацювання;

18** - за вказаним авторським свідоцтвом СРСР. з початку 70-х до кінця 80-х вироблялись промислові зразки запам’ятовуючих пристроїв з неруйнівним зчитуванням спеціального призначення ємністю 3 кбайт на ІМС 397РВ1 на товстій сегнетоелектричній плівці, котре у сукупності з патентами України [28*, 29*,] розглядається як основа створення запам’ятовуючих пристроїв з неруйнівним зчитуванням на тонкій та надтонкій сегнетоелектричній плівці;

19*** - можна вказати, що з терміну публікації даного патенту 2002 р. у світі розпочато активні дослідження, направлені на застосування акустичної стимуляції в напівпровідниковій технології, з них і авторами проекту, що відображає поява значної кількості патентів провідних фірм світу з посиланнями на зазначений патент.

Автор 112 наукових праць, у тому числі 70 авторських свідоцтв, із них 4 впроваджено.

Підготував 2 кандидата технічних наук.

Сторінка викладача в системі "Інтелект"

e-mail: martinuk@comsys.kpi.ua
тел. 454-93-35

Мы в Google+
4.6 stars(359 reviews)

RSS кафедри ОТ